Especificações:

• Marca: Kingston;
• Modelo: KVR26N19S6/4;
• Frequência de operação: 2666Mhz;
• CL (IDD): 19 ciclos;
• Row Cycle Time (tRCmin): 45,75ns (min.);
• Refresh to Active / Refresh Command Time (tRFCmin) 350ns (min.);
• Row Active Time (tRASmin) – 32ns (min.);
• Potência Máxima de Operação – TBD W*;
• Classificação UL 94 V - 0;
• Temperatura de operação – 0oC a +85oC;
• Temperatura de armazenamento - -55oC a + 100oC;
• Dimensões (Embalagem): 15 x 5 x 3 cm;
• Peso: 0,050 kg.

*A potência pode variar dependendo do uso do SDRAM.

Características / Benefícios:

• Tensão de operação: VDD = 1,2V Típico;
• VDDQ = 1,2 V Típico;
• VPP = 2.5V Típico;
• VDDSPD = 2,2 V a 3,6 V;
• Terminação nominal e dinâmica no DIE (ODT) para sinais de dados, luz e máscara;
• Auto-atualização de baixa potência (LPASR);
• Inversão de barramento de dados (DBI) para barramento de dados;
• Geração e calibração VREFDQ no DIE;
• Single Rank;
• EEPROM de detecção de presença serial (SPD) on-board I2;
• 8 bancos internos; 2 grupos de 4 bancos cada;
• Burst chop fixo (BC) de 4 e comprimento de Burst (BL) de 8 através do conjunto registradores de modo (MRS);
• BC4 ou BL8 selecionáveis em tempo real (OTF);
• Topologia fly-by;
• Comando de controle e barramento de endereços com terminação;
• PCB: Altura 1,18” (30,00 mm);
•  Em conformidade com RoHS e sem halogênios.

Itens Inclusos:

• 1 x Memória Kingston 4GB.

• 12 meses de garantia.